EPC2100ENG
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
অংশ সংখ্যা
EPC2100ENG
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
eGaN®
পার্ট স্ট্যাটাস
Discontinued at Digi-Key
প্যাকেজিং
Tray
অপারেটিং তাপমাত্রা
-40°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
Die
শক্তি - সর্বোচ্চ
-
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
Die
FET প্রকার
2 N-Channel (Half Bridge)
FET বৈশিষ্ট্য
GaNFET (Gallium Nitride)
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
30V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 27401 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড EPC2100ENG
EPC2100ENG বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
EPC2100ENG বিক্রয়
EPC2100ENG সরবরাহকারী
EPC2100ENG পরিবেশক
EPC2100ENG ডেটা টেবিল
EPC2100ENG ফটো
EPC2100ENG দাম
EPC2100ENG অফার
EPC2100ENG সর্বনিম্ন মূল্য
EPC2100ENG অনুসন্ধান করুন
EPC2100ENG ক্রয়
EPC2100ENG Chip