ON Semiconductor FDC655BN_NBNN007 MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

FDC655BN_NBNN007

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

অংশ সংখ্যা

FDC655BN_NBNN007

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

ON Semiconductor

সিরিজ

PowerTrench®

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

SuperSOT™-6

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

800mW

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

30V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

6.3A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

25 mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

13nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

620pF @ 15V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

4.5V, 10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±20V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 42634 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

FDC6000NZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT