Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

ডেটাশিট

SSM6N35FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

অংশ সংখ্যা

SSM6N35FE,LM

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Toshiba Semiconductor and Storage

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Digi-Reel®

অপারেটিং তাপমাত্রা

150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

SOT-563, SOT-666

শক্তি - সর্বোচ্চ

150mW

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

ES6 (1.6x1.6)

FET প্রকার

2 N-Channel (Dual)

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

20V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

180mA

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

1V @ 1mA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

9.5pF @ 3V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 32796 PCS

যোগাযোগের তথ্য