Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

ডেটাশিট

TK10V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

অংশ সংখ্যা

TK10V60W,LVQ

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Toshiba Semiconductor and Storage

সিরিজ

DTMOSIV

পার্ট স্ট্যাটাস

Discontinued at Digi-Key

প্যাকেজিং

Cut Tape (CT)

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

4-VSFN Exposed Pad

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

4-DFN-EP (8x8)

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

88.3W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

Super Junction

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

600V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

9.7A (Ta)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3.7V @ 500µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

20nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

700pF @ 300V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±30V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 10538 PCS

যোগাযোগের তথ্য