Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

অংশ সংখ্যা

TPN2R805PL,L1Q

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Toshiba Semiconductor and Storage

সিরিজ

U-MOSIX-H

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

175°C

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-PowerVDFN

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

8-TSON Advance (3.3x3.3)

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

2.67W (Ta), 104W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

45V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

139A (Ta), 80A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

2.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

2.4V @ 300µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

39nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

3.2nF @ 22.5V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

4.5V, 10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±20V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 51771 PCS

যোগাযোগের তথ্য