চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.
SI6467BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
অংশ সংখ্যা
SI6467BDQ-T1-GE3
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
8-TSSOP
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
1.05W (Ta)
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
12V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
6.8A (Ta)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
850mV @ 450µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
70nC @ 4.5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
-
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
1.8V, 4.5V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে chen_hx1688@hotmail.com কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 38894 PCS
এর কীওয়ার্ড SI6467BDQ-T1-GE3
SI6467BDQ-T1-GE3 বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
SI6467BDQ-T1-GE3 বিক্রয়
SI6467BDQ-T1-GE3 সরবরাহকারী
SI6467BDQ-T1-GE3 পরিবেশক
SI6467BDQ-T1-GE3 ডেটা টেবিল
SI6467BDQ-T1-GE3 ফটো
SI6467BDQ-T1-GE3 দাম
SI6467BDQ-T1-GE3 অফার
SI6467BDQ-T1-GE3 সর্বনিম্ন মূল্য
SI6467BDQ-T1-GE3 অনুসন্ধান করুন
SI6467BDQ-T1-GE3 ক্রয়
SI6467BDQ-T1-GE3 Chip