Vishay Siliconix SI7686DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

SI7686DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

অংশ সংখ্যা

SI7686DP-T1-GE3

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Siliconix

সিরিজ

TrenchFET®

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tape & Reel (TR)

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

PowerPAK® SO-8

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PowerPAK® SO-8

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

5W (Ta), 37.9W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

30V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

35A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

9.5 mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

26nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

1220pF @ 15V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

4.5V, 10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±20V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে chen_hx1688@hotmail.com কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 41102 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

SI7601DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8