Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

ডেটাশিট

SI7911DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

অংশ সংখ্যা

SI7911DN-T1-GE3

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Siliconix

সিরিজ

TrenchFET®

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Digi-Reel®

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

PowerPAK® 1212-8 Dual

শক্তি - সর্বোচ্চ

1.3W

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PowerPAK® 1212-8 Dual

FET প্রকার

2 P-Channel (Dual)

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

20V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

4.2A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

51 mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

1V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

15nC @ 4.5V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 27343 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8