Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

ডেটাশিট

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

অংশ সংখ্যা

SI9926BDY-T1-E3

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Siliconix

সিরিজ

TrenchFET®

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Cut Tape (CT)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

শক্তি - সর্বোচ্চ

1.14W

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

8-SO

FET প্রকার

2 N-Channel (Dual)

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

20V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

6.2A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

20 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

1.5V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

20nC @ 4.5V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 41709 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP