চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.
SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
অংশ সংখ্যা
SIE832DF-T1-GE3
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
TrenchFET®
পার্ট স্ট্যাটাস
Active
প্যাকেজিং
Cut Tape (CT)
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
10-PolarPAK® (S)
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
10-PolarPAK® (S)
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
-
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
40V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
50A (Tc)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
5.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
3V @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
77nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
3800pF @ 20V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
4.5V, 10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±20V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 10845 PCS
যোগাযোগের তথ্য
এর কীওয়ার্ড SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3 বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
SIE832DF-T1-GE3 বিক্রয়
SIE832DF-T1-GE3 সরবরাহকারী
SIE832DF-T1-GE3 পরিবেশক
SIE832DF-T1-GE3 ডেটা টেবিল
SIE832DF-T1-GE3 ফটো
SIE832DF-T1-GE3 দাম
SIE832DF-T1-GE3 অফার
SIE832DF-T1-GE3 সর্বনিম্ন মূল্য
SIE832DF-T1-GE3 অনুসন্ধান করুন
SIE832DF-T1-GE3 ক্রয়
SIE832DF-T1-GE3 Chip