Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X MOSFET N CH 120V 60A TO-220

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

অংশ সংখ্যা

TK32E12N1,S1X

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Toshiba Semiconductor and Storage

সিরিজ

U-MOSVIII-H

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tube

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Through Hole

প্যাকেজ/কেস

TO-220-3

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

TO-220

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

98W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

120V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

60A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

13.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

4V @ 500µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

34nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

2000pF @ 60V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±20V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 27210 PCS

যোগাযোগের তথ্য